Китайські вчені створили надшвидку флеш-пам’ять PoX, яка може змінити ринок мікросхем та прискорити розвиток ШІ

Група китайських дослідників представила надшвидкий пристрій нового покоління, здатний здійснювати рекордні 25 мільярдів операцій на секунду.

Традиційна флеш-пам’ять сильно програє оперативну швидкість, особливо, коли потрібно швидко записати дані. Але китайські вчені з Фуданського університету запропонували рішення, яке може все змінити. Вони створили нову енергонезалежну пам’ять PoX, здатну виконувати до 25 мільярдів операцій на секунду. Результати дослідження опубліковані у журналі Nature, передає Dialog.UA.

Вчені Фуданського університету в Китаї розробили флеш-пам’ять нового покоління PoX, здатну записувати дані за 400 пікосекунд. Це у 10 000 разів швидше, ніж у існуючих рішень.

Будьте першими в курсі головного

Додайте «Силу Слова» до улюблених джерел у Google — і наші новини будуть вище у вашому пошуку.

“Використовуючи оптимізацію процесів за допомогою ІІ, ми довели енергонезалежну пам’ять до її теоретичної межі”, – розповів керівник проекту професор Чжоу Пен.

Один із співавторів Лю Чуньсен порівняв результат із переходом від старої флешки, що записує дані тисячу разів на секунду, до нового чіпа, який робить це мільярди разів за частку секунди.

Нова пам’ять не потребує постійної подачі енергії, щоб зберігати дані, тому відмінно підійде для гаджетів з низьким споживанням, включаючи автономні роботи. Завдяки швидкості та енергоефективності вона здатна усунути одну з головних проблем у роботі чіпів для штучного інтелекту – повільну передачу та зберігання даних.

Крім того, PoX може замінити дорогі компоненти на кшталт SRAM-пам’яті, звільнивши місце та скоротивши енерговитрати. Це відкриває нові можливості, наприклад, моментальний запуск комп’ютерів або смартфонів та зберігання великих баз даних прямо в енергонезалежній пам’яті без ризику втратити інформацію при відключенні живлення.

Для Китаю ця розробка має стратегічне значення: країна прагне незалежності у виробництві ключових технологій. Поки не ясно, наскільки довговічною буде пам’ять і коли вона надійде в масове виробництво, але вже зараз видно: графенова технологія може легко вбудуватися в сучасні фабрики, що працюють з двовимірними матеріалами.

“Наш прорив може перевизначити технологію зберігання даних, прискорити індустріальні перетворення та відкрити нові сценарії застосування”, – вважає професор Чжоу.

У найближчих планах — створення більшої версії пам’яті та демонстрація їх у дії. Хоча конкретних компаній-партнерів поки що не називають, китайські виробники вже виявляють інтерес до технології. Якщо PoX дійсно вийде на ринок, це може стати справжнім проривом для всього сектора електроніки та ІІ.